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[置頂]OKR的實施標準步驟是什么？成功實施落地OKR的要點
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《系統與芯片ESD防護的協同設計》 —2.4.3 晶圓級HMM 裝置的瞬態特性
2.4.3 晶圓級HMM 裝置的瞬態特性
晶圓級HMM測試裝置不僅可用于測量元器件對這一脈沖的ESD通過水平，與上述HBM方法類似，這一裝置也可修改為能進行電壓波形捕獲。使得在ESD應力期間可進行IC...
系統與芯片ESD防護的協同設計》 —1.2 片上ESD防護策略" title="《系統與芯片ESD防護的協同設計》 —1.2 片上ESD防護策略" width="200" height="150">
《系統與芯片ESD防護的協同設計》 —1.2 片上ESD防護策略
1.2 片上ESD防護策略
片上ESD防護的最初作用是保證IC能承受在ESD防護區域（EPA）的整個制造過程中的ESD應力。這包括芯片代工和系統裝配。每片芯片的規格分別包括針對各種標準定義的脈沖下的合...
系統與芯片ESD防護的協同設計》 —1.2.2 局部鉗位網絡和兩級防護" title="《系統與芯片ESD防護的協同設計》 —1.2.2 局部鉗位網絡和兩級防護" width="200" height="150">
《系統與芯片ESD防護的協同設計》 —1.2.2 局部鉗位網絡和兩級防護
1.2.2 局部鉗位網絡和兩級防護
在系統級應力的情形下，由于防護網絡累積的高壓降，IC輸入和輸出的軌基防護網絡通常效率低下。在上電條件下，有源鉗位失能，這樣對ESD脈沖的響應就不充分。其他阻礙有源鉗...
系統與芯片ESD防護的協同設計》 —1.3.4 片外網絡的ESD抑制因素" title="《系統與芯片ESD防護的協同設計》 —1.3.4 片外網絡的ESD抑制因素" width="200" height="150">
《系統與芯片ESD防護的協同設計》 —1.3.4 片外網絡的ESD抑制因素
1.3.4 片外網絡的ESD抑制因素
除了兩個主要因素，鉗位電壓波形和采用瞬態電壓抑制器（TVS）的片外ESD防護網絡的電容，還必須考慮很多其他的重要因素。
關于TVS設計的一些內容將在第3章中討論，...
鯤鵬處理器的組織
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DIE:芯片的最小物理單元。Kunpeng 920...
Apple T2 安全芯片是 Apple 為 Mac 定制的第二代硅芯片。T2 芯片為 Mac 帶來了多項新功能。那么怎么給搭載 Apple T2 安全芯片的 Mac 電腦重裝系統呢？今天小編為大家帶...
