ARM裸機開發：RAM、ROM、FLASH概念

文章目錄

ARM裸機開發：RAM、ROM、FLASH概念

一、RAM和ROM前言

二、RAM

三、ROM

ARM裸機開發：RAM、ROM、FLASH概念

一、RAM和ROM前言

ROM 和 RAM 都是一種存儲技術，只是兩者原理不同

RAM： 為隨機存儲，掉電不會保存數據，RAM 速度快，可以直接和 CPU 進行通信，但是掉電以后數據會丟失，容量不容易做大，比如內存條、SRAM、SDRAM、DDR 等都是 RAM；

ROM： 只讀存儲器，可以在掉電的情況下，依然保存原有的數據；但 ROM 速度慢，容量大，適合存儲數據

FLASH： 又稱閃存，它結合了ROM和RAM的長處，不僅具備電子可擦除可編程的性能，還不會斷電丟失數據同時可以快速讀取數據，U盤和MP3里用的就是這種存儲器，因為 Flash 掉電不丟失數據的特性，現在很多人把它歸為 ROM 的一種，但實際上它卻能夠進行寫操作，和 ROM 有一定的區別，但也屬于 ROM ；

正點原子的開發板上，256MB/512MB 的 DDR3 就 是 RAM，而 512MB NANF Flash 或 8GB EMMC 就是 ROM

二、RAM

RAM 具體可以分為兩類：SRAM 和 DRAM 兩種：

SRAM： 靜態隨機存儲器，它是一種具有靜止存取功能的內存，不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。

優點：速度快，不必配合內存刷新電路，可提高整體的工作效率。

缺點：集成度低，功耗較大，相同的容量體積較大，而且價格較高，少量用于關鍵性系統以提高效率

DRAM： 動態隨機存儲器，DRAM使用電容存儲，所以必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的信息就會丟失

三、ROM

ROM 根據其讀寫進行分類，可分為以下幾類：

固定ROM： 生產時內部存儲的數據或者程序就已經固定

PROM(Programmable ROM)：可一次編程ROM，出廠后可進行一次編程，之后就無法修改內部數據和程序

EPROM：PROM的優化，為了克服PROM只能寫入一次的缺點，出現了可多次擦除和編程的存儲器，但是其擦除的條件比較特殊，需要借助紫外線

E2PROM：電寫入電擦除的只讀存儲器，擦除時不需要紫外線，只要用加入10ms、20V左右的電脈沖即可完成擦除操作

Flash：閃存儲器，它具有E2PROM擦除的快速性，結構又有所簡化，進一步提高了集成度和可靠性，從而降低了成本，目前市面上最常見的存儲器

ARM Flash

版權聲明：本文內容由網絡用戶投稿，版權歸原作者所有，本站不擁有其著作權，亦不承擔相應法律責任。如果您發現本站中有涉嫌抄襲或描述失實的內容，請聯系我們jiasou666@gmail.com 處理，核實后本網站將在24小時內刪除侵權內容。

版權聲明：本文內容由網絡用戶投稿，版權歸原作者所有，本站不擁有其著作權，亦不承擔相應法律責任。如果您發現本站中有涉嫌抄襲或描述失實的內容，請聯系我們jiasou666@gmail.com 處理，核實后本網站將在24小時內刪除侵權內容。