在200mm晶圓上制造碳納米管場效應晶體管，制造過程加快了1100倍以上

在200mm晶圓上制造碳納米管場效應晶體管，制造過程加快了1100倍以上

碳納米管場效應晶體管

盡管數十年來技術進步一直在使硅基晶體管的制造價格下降，但隨著摩爾定律的實現以及隨著更多的晶體管被集成到集成中而使我們不再看到能源效率的提高，這種趨勢正在迅速接近尾聲。電路。

另一方面，根據MIT團隊研究的Max Shulaker的說法，CNFETS的能源效率遠遠高于硅基晶體管，“高出一個數量級……效率”。與在500攝氏度左右的溫度下制造的硅基晶體管不同，

MIT研究人員Anthony Ratkovich（左）和Mindy D. Bishop舉了一個硅晶片的例子。圖片記入麻省理工學院

制造CNFET

可以使用各種方法來制造CNFET，但是，沉積納米管最有效的方法之一就是孵育。該方法涉及將晶片浸入納米管浴中，直到它們粘在晶片表面上。

經過實驗，Bishop和研究小組得出結論，簡單的孵化過程將產生出可以勝過硅的CNFET。

快1，100倍

對孵化過程的仔細觀察向研究人員展示了他們如何改變孵化過程，使其更適合工業(yè)應用。例如，他們發(fā)現間歇性干燥干晶圓的方法干循環(huán)可以將孵育時間從兩天減少到150秒。

在研究了用于制造CNFET的沉積技術之后，Shulaker及其同事進行了一些更改，與傳統(tǒng)方法相比，將制造過程加快了1100倍以上，同時降低了生產成本。他們的技術將碳納米管邊到邊沉積在晶圓上。

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