基于MEMS微橋結(jié)構(gòu)技術(shù)制造的微測輻射熱計器件

基于MEMS微橋結(jié)構(gòu)技術(shù)制造的微測輻射熱計器件

圖1 典型微測輻射熱計器件結(jié)構(gòu)示意圖

為解決微測輻射熱計器件工藝開發(fā)相關(guān)的問題，該研究基于半導(dǎo)體生產(chǎn)線設(shè)備，以單芯片集成方案為目標(biāo)，開發(fā)了基于MEMS微橋結(jié)構(gòu)和非晶硅敏感材料的微測輻射熱計器件，對其關(guān)鍵結(jié)構(gòu)的物理形貌、電學(xué)等特性進(jìn)行了測試和評估，并對該產(chǎn)品量產(chǎn)技術(shù)可行性進(jìn)行了評估。

實驗方案

圖2 與半導(dǎo)體工藝兼容的微輻射熱計器件截面示意圖

該結(jié)構(gòu)中，支撐和電連接模塊是實現(xiàn)微橋支撐和電信號引出的關(guān)鍵，該模塊位于犧牲層內(nèi)，包括支撐孔及其底部的接觸孔兩部分。綜合考慮工藝復(fù)雜性、成本和可靠性等因素，文中采用了溝槽優(yōu)先的集成方案，即先在犧牲層內(nèi)光刻刻蝕形成支撐孔，再沉積釋放保護(hù)層和敏感層，然后在支撐孔底部光刻刻蝕形成接觸孔，最后沉積金屬電極形成電連接，而不再設(shè)置金屬塞或者介質(zhì)塞結(jié)構(gòu)，可以大大降低工藝復(fù)雜度和成本。

完成微測輻射熱計器件開發(fā)后，文中對其關(guān)鍵工藝、結(jié)構(gòu)和器件的物理形貌、電學(xué)特性以及釋放后的懸空MEMS微橋結(jié)構(gòu)進(jìn)行了測試和分析，以評估其是否滿足單芯片集成產(chǎn)品的量產(chǎn)技術(shù)需求。

器件性能表征、可行性評估和驗證

將MEMS微橋結(jié)構(gòu)直接構(gòu)建在半導(dǎo)體工藝制造的ASIC讀取電路硅片互連層次之上，能夠與ASIC讀取電路芯片共享襯底面積，具有集成度高、低成本、低寄生、高性能等優(yōu)勢。然而MEMS工藝會引入較厚的疊層薄膜和較大的硅片表面高低起伏，這將導(dǎo)致硅片翹曲、CD/overlay超標(biāo)、光刻膠殘留、寄生電阻等問題，也會影響到電學(xué)接觸等特性，同時，整個MEMS微橋結(jié)構(gòu)各工藝模塊相互關(guān)聯(lián)，并直接影響到微測輻射熱計器件特性以及懸空MEMS微橋結(jié)構(gòu)的平坦度等。

敏感層材料開發(fā)

敏感層材料是微測輻射熱計器件的核心技術(shù)。文中基于半導(dǎo)體CVD工藝技術(shù)開發(fā)了低溫低應(yīng)力非晶硅薄膜做為敏感層材料，將薄膜沉積溫度控制在380℃，以避免對前面工藝和器件產(chǎn)生影響，并將該薄膜應(yīng)力控制在?/?100MPa，以保證釋放后懸空MEMS微橋結(jié)構(gòu)的平坦度。

根據(jù)微測輻射熱計器件原理可知，敏感層電阻均勻性直接影響到非均勻性輸出等關(guān)鍵電學(xué)性能，對產(chǎn)品良率起到至關(guān)重要的作用。敏感層材料的電阻溫度系數(shù)TCR是微測輻射熱計器件的核心參數(shù)，直接影響產(chǎn)品的靈敏度等性能。低溫CVD非晶硅薄膜工藝由于溫度低反應(yīng)氣體分解不充分等原因，其顆粒往往較多，同時，非晶硅與其他薄膜的黏附性較差，很容易出現(xiàn)剝落等問題。該研究的器件性能表征結(jié)果如圖3至圖5所示。

圖4 1000?非晶硅薄膜TCR與溫度的關(guān)系圖

圖5 1000?非晶硅薄膜顆粒數(shù)掃描圖

硅片表面平坦化及支撐與電連接結(jié)構(gòu)開發(fā)

圖6 （a）MEMS微橋結(jié)構(gòu)Topview SEM照片；（b）支撐和接觸孔截面SEM照片

敏感層電阻結(jié)構(gòu)開發(fā)

敏感層電阻是微測輻射熱計器件的核心。如圖2和圖3所示，文中使用薄金屬電極層圖形定義敏感層電阻，其工藝方法是在敏感層上沉積金屬電極，然后通過光刻刻蝕形成電極層圖形?？梢钥吹剑姌O層圖形化時，刻蝕工藝會直接接觸敏感層材料，如該工藝控制不好，會損傷到敏感層材料，并影響敏感層電阻均勻性。

經(jīng)對比實驗和工藝優(yōu)化，文中最終選擇高選擇比的濕法工藝實現(xiàn)薄金屬電極的刻蝕，以降低該步工藝對敏感層材料的損傷。如圖7所示，非晶硅敏感層幾乎沒有受到任何工藝損傷，且電極層圖形邊界清晰，沒有看到濕法工藝導(dǎo)致的電極層側(cè)面腐蝕問題。圖中，由于CVD成膜工藝的保行特性，CVD生長敏感層薄膜時，會在表面呈現(xiàn)出其下方犧牲層薄膜表面的起伏形貌。

圖7 微橋表面非晶硅敏感層電阻結(jié)構(gòu)的截面TEM照片

ASIC+MEMS單芯片集成可行性評估和驗證

文中采用與半導(dǎo)體工藝兼容的技術(shù)方案，在ASIC讀取電路硅片之上構(gòu)建MEMS微橋諧振腔結(jié)構(gòu)，從而實現(xiàn)ASIC和MEMS的單芯片集成。由于MEMS工藝需要引入較厚的疊層薄膜，并形成較大的硅片表面凹凸起伏形貌，在加上讀取電路硅片自身的翹曲，這將導(dǎo)致嚴(yán)重的硅片翹曲，因此單芯片集成要解決得首要問題就是硅片的全局應(yīng)力問題。 業(yè)界一般將翹曲硅片作為圓的一段“圓弧”，并將該圓的半徑定義為曲率半徑，用來評估硅片翹曲程度。通過應(yīng)力測試設(shè)備，文中首先確認(rèn)了ASIC硅片的翹曲程度，得到其曲率半徑在?80m左右；然后對整個MEMS工藝進(jìn)行了集成優(yōu)化，包括各疊層薄膜的應(yīng)力控制和應(yīng)力平衡等，重點將較厚的犧牲層薄膜應(yīng)力調(diào)整低于100MPa的張應(yīng)力模式，一方面避免硅片翹曲加重，一方面避免相鄰工藝的應(yīng)力模式變化太大，導(dǎo)致的薄膜剝落問題。

經(jīng)工藝優(yōu)化后，在整個MEMS集成工藝過程中使得硅片曲率半徑絕對值始終大于80m，從而以保證ASIC+MEMS單芯片集成產(chǎn)品的性能。

敏感層電阻電學(xué)特性評估

文中開發(fā)的敏感層電阻是由電極層圖形定義的，是微測輻射熱計器件的核心組成部分，需要對其電學(xué)特性進(jìn)行綜合評估。如圖8所示，是使用HP4156 C對該器件以電壓掃描方式測試得到的I-V曲線?？梢钥吹?，其電阻值在250kΩ左右，且經(jīng)線形擬合后I-V曲線呈現(xiàn)良好的線形關(guān)系，其線形相關(guān)系數(shù)R2=1，即敏感材料層電阻結(jié)構(gòu)中，電極層金屬與非晶硅敏感層呈現(xiàn)出良好的歐姆接觸特性。

圖8 電極層定義的非晶硅熱敏電阻薄膜的I-V曲線

完成整個工藝流程后，需要對器件級敏感層電阻的TCR這一關(guān)鍵特性進(jìn)行測試，以評估其結(jié)構(gòu)和集成工藝對敏感層材料的影響，及其是否滿足量產(chǎn)產(chǎn)品的需求。如圖9所示，可以看到升降溫情況下，其TCR曲線基本重合，沒有出現(xiàn)明顯的滯回現(xiàn)象；同時，25℃下器件級敏感層電阻的TCR約為?2%左右，略低于光片無圖形薄膜材料TCR的測試值（見圖4），原因是由于梁結(jié)構(gòu)、無柱支撐結(jié)構(gòu)側(cè)壁和底部、接觸孔底部等結(jié)構(gòu)的薄金屬電極構(gòu)成的寄生電阻占總電阻比例較高，且金屬的電阻溫度系數(shù)較小導(dǎo)致。該器件電學(xué)特性與業(yè)界報道數(shù)據(jù)相當(dāng)，能夠滿足產(chǎn)品性能要求。

圖9 電極層定義的熱敏電阻薄膜的TCR曲線

釋放后懸空MEMS微橋結(jié)構(gòu)特性評估

完成微測輻射熱計器件的MEMS工藝后，使用釋放工藝去除犧牲層薄膜，從而形成懸空的MEMS微橋結(jié)構(gòu)。由于微測輻射熱計主要用于成像相關(guān)應(yīng)用，需要以上述MEMS微橋結(jié)構(gòu)的器件為單元，組成大面積陣列以實現(xiàn)成像功能，因此需要評估其微橋結(jié)構(gòu)單元和陣列的平坦度和均勻性。

MEMS微橋表面的平坦度是由其組成的各膜層應(yīng)力決定的，需要對其薄膜應(yīng)力進(jìn)行匹配設(shè)計和優(yōu)化。以應(yīng)力匹配為例，如果其中某一層薄膜具有向上（張應(yīng)力）或向下（壓應(yīng)力）的應(yīng)力模式，則需要相反應(yīng)力模式的薄膜來平衡應(yīng)力。而當(dāng)微橋上的薄膜層次較多時，整個應(yīng)力平衡的過程控制將非常困難。 為了得到平坦的微橋表面，避免復(fù)雜的多層薄膜應(yīng)力平衡，每層薄膜的應(yīng)力都要被很好地控制在較低的水平。同時，需要嚴(yán)格控制各層薄膜的膜厚均勻性，可以保證各層薄膜應(yīng)力能夠均勻地施加到硅片內(nèi)各個單元微橋表面上，避免出現(xiàn)局部應(yīng)力不均勻?qū)е碌牧悸蕮p失。

圖10 釋放后MEMS微橋結(jié)構(gòu)微測輻射熱計器件陣列的光學(xué)形貌數(shù)據(jù)

結(jié)論

該研究采用與半導(dǎo)體工藝兼容的工藝方案，開發(fā)了基于MEMS微橋結(jié)構(gòu)的微測輻射熱計器件，其中，開發(fā)基于半導(dǎo)體CVD技術(shù)的非晶硅工藝作為關(guān)鍵敏感層材料，實現(xiàn)了與半導(dǎo)體工藝良好的兼容性；開發(fā)溝槽優(yōu)先工藝集成方案實現(xiàn)MEMS接觸模塊，而無需金屬塞或介質(zhì)塞，能夠大幅度降低成本和工藝復(fù)雜性；開發(fā)高性能敏感層電阻圖形化技術(shù)，實現(xiàn)良好的歐姆接觸特性和優(yōu)異的TCR特性；同時，通過工藝開發(fā)和結(jié)構(gòu)/工藝優(yōu)化設(shè)計，由該器件組成的懸空MEMS微橋陣列呈現(xiàn)良好的平坦度和均勻性。 經(jīng)過對該器件的模塊工藝、集成方案、結(jié)構(gòu)形貌、電學(xué)特性等進(jìn)行了的測試和評估，結(jié)果表明，文中技術(shù)方案能夠很好地滿足微測輻射熱計器件及對應(yīng)的單芯片集成非制冷紅外探測器產(chǎn)品的量產(chǎn)技術(shù)需求。

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