俄羅斯研究所7nm級(jí)制造技術(shù)生產(chǎn)預(yù)計(jì)2028年建成

俄羅斯研究所7nm級(jí)制造技術(shù)生產(chǎn)預(yù)計(jì)2028年建成

然而，到 2030 年，28nm 級(jí)的生產(chǎn)節(jié)點(diǎn)生產(chǎn)還存在問(wèn)題，因?yàn)槎砹_斯最先進(jìn)的晶圓廠只可以使用 65nm 制造技術(shù)生產(chǎn)芯片。同時(shí)，由于制裁，美國(guó)和歐洲的晶圓廠工具制造商無(wú)法向俄羅斯提供設(shè)備，因此該國(guó)要想采用 28nm 節(jié)點(diǎn)，就必須設(shè)計(jì)和建造國(guó)產(chǎn)晶圓生產(chǎn)設(shè)備。換而言之，像 ASML 和 Applied Materials 這樣的公司花了幾十年的時(shí)間來(lái)開(kāi)發(fā)和迭代的產(chǎn)品，俄羅斯必須在大約八年內(nèi)完成。

顯然，根據(jù)下諾夫哥羅德戰(zhàn)略發(fā)展?網(wǎng)站（通過(guò) CNews）?發(fā)布的計(jì)劃，俄羅斯科學(xué)院俄羅斯應(yīng)用物理研究所打算超越所有人的預(yù)期，到 2028 年生產(chǎn)出具有 7nm 能力的光刻掃描儀?。

該工具將與 ASML 或尼康等公司生產(chǎn)的掃描儀有所不同。例如，IAP 計(jì)劃使用大于 600W 的光源（總功率，不是中焦功率），曝光波長(zhǎng)為 11.3nm（EUV 波長(zhǎng)為 13.5nm），這將需要比現(xiàn)在更復(fù)雜的光學(xué)器件。由于該設(shè)備的光源功率相對(duì)較低，這將使工具更緊湊，更易于構(gòu)建。然而，這也意味著其掃描儀的產(chǎn)量將大大低于現(xiàn)代深紫外 (DUV) 工具的產(chǎn)量。根據(jù) IAP 的說(shuō)法，這可能不是問(wèn)題。

然后，市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者花了大約 9 年時(shí)間才在 2018 年交付其支持 7nm 和 5nm 的 Twinscan NXT:2000i DUV 工具。臺(tái)積電在其第一代 N7 制造技術(shù)中使用了具有多重圖案的不太先進(jìn)的工具，但 ASML 的時(shí)間安排介紹展示了從 65nm 過(guò)渡到 7nm 的難度。ASML 從 65nm 到 7nm 用了 14 年。現(xiàn)在，在芯片生產(chǎn)方面沒(méi)有任何經(jīng)驗(yàn)或與芯片制造商沒(méi)有任何聯(lián)系的 IAP 打算在大約 6 年的時(shí)間里從頭開(kāi)始制造一臺(tái)支持 7nm 的機(jī)器進(jìn)行量產(chǎn)。雖然這個(gè)計(jì)劃聽(tīng)起來(lái)不太可行，但看起來(lái) IAP 充滿了熱情。

IAP 計(jì)劃在 2024 年之前建造一個(gè)功能齊全的 alpha 掃描儀。這個(gè)掃描儀不必提供高生產(chǎn)率或最大分辨率，但必須工作并對(duì)潛在投資者有吸引力。IAP 打算在 2026 年之前制造出具有更高生產(chǎn)力和分辨率的掃描儀測(cè)試版。這臺(tái)機(jī)器應(yīng)該可以量產(chǎn)，但預(yù)計(jì)其生產(chǎn)力不會(huì)達(dá)到最大。據(jù)說(shuō)光刻掃描儀的最終迭代將在 2028 年問(wèn)世。它應(yīng)該獲得高性能光源（因此更高的生產(chǎn)率）、更好的計(jì)量和整體能力。到 2028 年，尚不清楚 IAP 和/或其生產(chǎn)合作伙伴將能夠生產(chǎn)多少臺(tái)此類機(jī)器。

應(yīng)該注意的是，晶圓廠設(shè)備不限于光刻掃描儀。還有其他類型的機(jī)器執(zhí)行蝕刻、沉積、光刻膠去除、計(jì)量和檢查操作，這些機(jī)器不是在俄羅斯制造的。此外，還有一些不太先進(jìn)的機(jī)器，如超純空氣和水發(fā)生器，這些機(jī)器也不是在俄羅斯生產(chǎn)的。即使 IAP RAS 設(shè)法建造了光刻工具，俄羅斯仍然需要數(shù)百臺(tái)工具才能建造現(xiàn)代化的晶圓廠。此外，晶圓廠需要在不向俄羅斯供應(yīng)的國(guó)家生產(chǎn)的超純?cè)牧稀?/p>

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