GF、ARM共同定義行動技術(shù)平臺新標準

GF、ARM共同定義行動技術(shù)平臺新標準

GLOBALFOUNDRIES與ARM日前于2010 MWC中，公布針對新一代無線產(chǎn)品及應(yīng)用開發(fā)的尖端系統(tǒng)單芯片(SoC)平臺全新細節(jié)資料。全新的芯片生產(chǎn)制造平臺預估將提升40%運算效能、減低30%功耗，并在待機狀態(tài)下增加100%的電池使用壽命。 　　 　　此全新平臺包括兩種不同的GLOBALFOUNDRIES工藝整合：移動及消費性應(yīng)用適用的28納米超低功耗(SLP)工藝，及針對需要最高效能的應(yīng)用開發(fā)的28納米高效能(HP)工藝。 　　 　　ARM與GLOBALFOUNDRIES的SoC平臺采用ARM Cortex-A9處理器、最佳化ARM實體IP及GLOBALFOUNDRIES的28納米閘極優(yōu)先高介電質(zhì)金屬閘極(gate-first HKMG)工藝。此外，ARM及GLOBALFOUNDRIES將使智能型手機、smartbook、平板計算機等嵌入式裝置的制造商有能力因應(yīng)日益復雜的設(shè)計及生產(chǎn)制造過程，并縮短成熟量產(chǎn)的時間。GLOBALFOUNDRIES預估將于2010下半年于德國Dresden開始進行新一代技術(shù)的生產(chǎn)制造。 　　 　　由于智能型移動產(chǎn)品市場加速成長，業(yè)界對移動應(yīng)用產(chǎn)品效能的需求不斷提升，以持續(xù)刺激市場創(chuàng)新。相較于前一代40/45納米技術(shù)，GLOBALFOUNDRIES采用閘極優(yōu)先高介電質(zhì)金屬閘極(gate-first HKMG)技術(shù)的28納米工藝可達更顯著的效能提升。 　　 　　目前預估采用HKMG的28納米技術(shù)在相同熱度范圍將提升40%的效能，以強化移動裝置的應(yīng)用效能及多任務(wù)處理能力。GLOBALFOUNDRIES目前可將此一技術(shù)迅速推出上市，提供客戶受廣泛采用的閘極優(yōu)先HKMG技術(shù)。閘極優(yōu)先技術(shù)獲得多家全球大規(guī)模IDM廠及無晶圓廠設(shè)計公司的廣泛支持。 　　 　　各項新技術(shù)都需要提升功耗表現(xiàn)，以提供長時間通話/待機、多媒體播放及交互式游戲與繪圖等功能。ARM IP與GLOBALFOUNDRIES 28納米HKMG工藝的結(jié)合，將可提供較40/45納米降低30%功耗的效能，并提升100%待機電池壽命。 　　 　　ARM總裁Tudor Brown表示：“改采28納米技術(shù)對無線技術(shù)而言是一重要轉(zhuǎn)折點。ARM與GLOBALFOUNDRIES的合作將可提供客戶大量實作的28納米HKMG技術(shù)，以迅速推出高效能、低功耗的ARM架構(gòu)設(shè)計產(chǎn)品。GLOBALFOUNDRIES技術(shù)、ARM領(lǐng)先業(yè)界的實體IP解決方案與ARM處理器提供之完整因特網(wǎng)功能的整合，將可展現(xiàn)強大的處理、繪圖及功耗整合成果。” 　　 　　除了與GLOBALFOUNDRIES合作外，ARM也與IBM Joint Development Alliance的其它成員建立策略合作關(guān)系，以開發(fā)采用HKMG工藝的最佳化處理器及實體IP。ARM于MWC展出采用HKMG技術(shù)開發(fā)的首款28納米晶圓，以展現(xiàn)與晶圓廠合作伙伴進行前期合作，加速改采新一代SoC節(jié)點設(shè)計的優(yōu)勢。

STM32/STM8

意法半導體/ST/STM

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