三星開始大規模生產MRAM記憶體，結合DRAM和NAND閃存特性

三星開始大規模生產MRAM記憶體，結合DRAM和NAND閃存特性

由于DRAM和NAND Flash微制成工藝已近乎接近極限，存儲晶圓廠亟需另辟蹊徑，尋求技術創新迭代，MRAM（磁電阻式隨機存取記憶體）、PRAM(相變化記憶體）和RRAM（電阻式動態隨機存取記憶體）三大存儲記憶體的出現滿足終端市場需求。

我們再看下三星，據其表示，該公司的MRAM采用28nm制程工藝，并基于FD-SOI的技術集成沖壓處理，目前已經開始批量生產嵌入式磁性隨機存取內存eMRAM。該公司計劃年內開始生產1千兆位(Gb）eMRAM測試芯片，繼續擴展其嵌入式存儲器解決方案。

那么，為什么三星對MRAM記憶體芯片情有獨鐘？

另外據悉，英特爾的MRAM也已經開始投產，采用22nm制成工藝，相關參數如下表：

結論：隨著次世代記憶體芯片MRAM、PRAM和RRAM開始布局市場，32層、64層等的NAND Flash閃存短期影響不大。不過，如未來次世代記憶體技術步入成熟期，并進入利基市場，其他競品的空間或將會受限。

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