在日本政府推行新能源車鼓勵政策下，日本廠商正在積極擴產備戰

在日本政府推行新能源車鼓勵政策下，日本廠商正在積極擴產備戰

而日本廠商無疑是這個市場的一股重要勢力。

耀眼的日本廠商

2019年的功率半導體市場（離散元件和模組）上各家廠家的銷售額

近日，根據相關報道指出，日本經濟產業省預期2030年代中期在日本國內停止銷售汽油車新車，只銷售混合動力和純電動等電動車型，到2050年，汽車從制造到處置和回收的整個生命周期實現碳中和。

目前，日本政府正計劃對有助于節能的產品（例如蓄電池和功率半導體）實行優惠稅收制度。值得注意的是，這些日廠擴產有望緩解中國整車企業功率半導體供應緊缺的現狀。

在日本政府推行新能源車鼓勵政策下，日本廠商正在積極擴產備戰。

積極備貨的日本廠商

誠如前文所言，首先是東芝和富士電機，這兩家廠商正投入巨大資金用于擴充產能。

東芝

據日經報道，東芝將在截至2024年3月的財政年度中花費約800億日元，在其位于日本石川縣的工廠增加生產設備。該集團的晶圓生產能力將從每月150，000片增加到每月200，000片。多余的晶圓將交付給日本汽車制造商以及中國和其他地區的汽車制造商。東芝在低壓產品中表現出色，可有效處理300伏或更低的電壓。

這家總部位于東京的公司希望將功率半導體領域的銷售額從目前的約1500億日元增長30％，達到2000億日元。它已經為電網提供了功率轉換器。

富士電機

此前，富士電機發表了2023年的中期計劃，在中期計劃中顯示2023年度營業額超過1兆日元，營業利益800億日元，未來富士電機將會重點投資功率半導體領域，2019年~2023年預計每年平均投資達到400~500億日元。

富士電機表示，與2019年相比，本財年日本山梨縣工廠的生產能力將提高30％。該公司計劃提高馬來西亞和日本以外其他地區的工廠的產能，以使工人能夠將制成品從日本制造的零件中剔除。

富士電機是開發用于汽車的功率半導體的先驅，其零部件已被日本和其他汽車制造商使用。該公司的目標是到2023財年使汽車占功率半導體銷售額的一半，高于2019財年的35％。

事實上除了這兩家，還有廠商也在積極提升產能。

三菱電機

在如此熱潮下，多年來“清心寡欲”的三菱電機也心動了。三菱電機是功率半導體類型IGBT模塊的第二大制造商。近年來，三菱電機的投資有減少的跡象。具體來說，2013年度，三菱電機投資了360億日元，2014年度以后，每年保持在100~165億日元的投資水平。但是值得注意的是，2018年度三菱電機果斷投資552億日元，轉為積極態度。其背景是該公司的SiC功率半導體開發完成。

除了這些正在努力增加產能的廠商，還有一些廠商正在增加對功率半導體其他方面的投資。

羅姆

羅姆可以說完全是以SiC為主要武器，該公司在2016年度投資421億日元，2017年度投資559億日元，2018年度投資780億日元。在福岡縣筑后修建新工廠，在宮崎工廠建設新導入新產線。其目標是，2021年達到現有生產能力的3倍，月產12000枚（按照6英寸換算）。

羅姆內部，其實已經有人提出在SiC領域，超過Wolfspeed成為世界第一的口號。ROHM在未來三年預計投資2500億日元，從瑞薩手中買來的滋賀縣工廠也將投入8英寸產線。

瞄準氧化鎵

據市場調查公司--富士經濟于2019年6月5日公布的Wide Gap 功率半導體元件的全球市場預測來看，2030年氧化鎵功率元件的市場規模將會達到1，542億日元（約人民幣92.76億元），這個市場規模要比氮化鎵功率元件的規模（1，085億日元，約人民幣65.1億元）還要大！具體數字雖然沒有公布，從下圖市場預測圖表中，可以看出在2050年時間點，氧化鎵超過氮化鎵。

在氧化鎵方面，日本在元件、基板等方面的研發全球領先。但據了解，研究氧化鎵功率元件、并進行開發的并不是現在的大型、中型功率半導體企業。也就是說并不是我們所熟悉的三菱電機、富士電機、羅姆等企業。而是一些小企業。

NICT的東脅先生于2010年3月結束在美國大學的赴任并回日本，以氧化鎵功率元件作為新的研發主題并進行構想。京都大學的藤田教授于2008年發布了氧化鎵深紫外線檢測和Schottky Barrier Junction、藍寶石（Sapphire）晶圓上的晶膜生長（Epitaxial Growth）等研發成果后，又通過利用獨自研發的薄膜生產技術（Mist CVD法）致力于研發功率元件。倉又先生在田村（Tamura）制作所負責研發LED方向的氧化鎵單結晶晶圓，并考慮應用到功率半導體方向。

FLOSFIA成立于2011年3月，不同于世界其他地區對GaN或SiC外延生長的方法研究，FLOSFIA的研究人員開發了一種新型的制備方法，它是將氧化鎵層沉積于藍寶石襯底上來制備功率器件。這主要依賴于其一項名為“Mist Epitaxy”（噴霧干燥法）的化學氣相沉積工藝。

Novel Crystal Technology（以下簡稱NCT）則成立于2015年，公司所采用的方案是基于HVPE生長的Ga2O3平面外延芯片，他們的目標是加快超低損耗，低成本β-Ga2O3功率器件的產品開發。開發出β-Ga2O3功率器件。

現在參加研發的日本企業持續增加，且正在呈現出“All Japan”的景象。參與開發下一代半導體“氧化鎵（Ga2O3）”的功率器件的機構數量正在迅速增加。大學，公司和公共研究機構陸續參與了氧化鎵（Ga2O3）的研究。此外，對開發企業的投資正在陸續發生。

電裝作為一家提供汽車技術、系統及零部件的供應商，也在積極布局Ga2O3的研發。2018年1月，電裝與FLOSFIA（上文提到）宣布合作，投資和開發新一代功率半導體器件，預計將減少和降低用于電動汽車逆變器的能耗、成本、尺寸和重量。

2019年7月，電裝與豐田聯合宣布成立一個新的合資企業。新公司計劃于2020年4月成立，主要研發下一代車載半導體技術。他們將目光投向了能夠挑戰SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵）的功率半導體氧化鎵、金剛石。但直到目前為止，并沒有關于新公司的新進展。

美國在這方面也在發力。據外媒報道，今年6月，美國紐約州立大學布法羅分校（the University at Buffalo）正在研發一款基于氧化鎵的晶體管，能夠承受8000V以上的電壓，而且只有一張紙那么薄，將用于制造更小、更高效的電子系統，用在電動汽車、機車和飛機上。

此外，中國電科46所采用導模法成功已制備出高質量的4英寸氧化鎵單晶，其寬度接近100mm，總長度達到250mm，可加工出4英寸晶圓、3英寸晶圓和2英寸晶圓。經測試，晶體具有很好的結晶質量，將為國內相關器件的研制提供有力支撐。

不過日本方面表示，鑒于其在Ga2O3領域的領先性，其他廠商暫時不能構成威脅。

說在最后

但日本在半導體材料以及設備上依然具有很大的優勢。如在硅片方面，日本的幾家公司名列前茅，各種用在半導體芯片生產的氣體和化合物方面，日本也不遑多讓。而在功率半導體方面，也是如此，日本公司不僅花大手筆投資增產現有技術產品，也在努力布局下一代功率半導體材料。

日本的半導體實力，不容小覷。

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