MOSFET系列（二）：從制造到封裝，精益求精的日系MOSFET

MOSFET系列（二）：從制造到封裝，精益求精的日系MOSFET

ROHM MOSFET系列

（BSS138BKWT106，ROHM）

（R6004JND3，ROHM）

RENESAS MOSFET系列

（2SK1317，瑞薩）

2SK1317是應用于1500V高擊穿電壓的器件，在低電流下即可驅動。峰值電流可到7A。RDS(on)典型值為9Ω，最大值12Ω。在高壓下依然保持了較低的導通阻值。該器件在封裝工藝上采用的TO-3P，是中高壓、大電流MOS管常用的封裝形式，在耐壓性、抗擊穿能力上都有很高的適應性。

瑞薩在封裝工藝上還有很多“絕活”。WPAK是瑞薩開發的一種高熱輻射封裝，通過封裝把芯片散熱板焊接在主板上，通過主板散熱，使小形封裝的WPAK也可以達到D-PAK的輸出電流同時減小布線電感。LFPAK和LFPAK-I是瑞薩開發的另外2種與SO-8兼容的小形封裝。LFPAK類似D-PAK，但比D-PAK體積小。瑞薩的LFPAK-I封裝在散熱技術上可以說是散熱技術的代表技術之一了。不難看出在細節上日系企業還是很能下苦工的。

東芝MOSFET系列

東芝在分立半導體上一直野心滿滿。此前曾提出要在2021年在分立型半導體元件上的銷售額達到2000億日元。東芝的12V-300V MOSFET延續了每一代的溝道結構和制造工藝，穩定降低低壓功率MOSFET的漏極-源極導通電阻RDS(ON)。400V-900V MOSFET則提供了超結MOSFET主攻高輸出應用，而對于低輸出應用，提供了D-MOS（雙擴散）MOSFET。

在12V-300V 范圍里，東芝的MOSFET提供高速、低漏源導通電阻特性和低尖峰型，具有優化的緩沖電路吸收器常數。開關損耗和噪聲性能在東芝的系列產品上也做的很好。

TPH2R408QM是東芝采用最新一代工藝制造而成的80V U-MOSX-H系列產品。開關應用中的關鍵指數如RDS(ON)，以及RDS(ON)×Qg都在新一代工藝下有了長足的進步。

（U-MOSX-H，東芝）

TPH2R408QM的RDS(ON)導通電阻（典型值）為1.9mΩ，在這樣低的導通電阻下，該器件的總柵極電荷Qg也非常低，只有87nC。這得歸功于 U-MOSX-H系列采用的細間距技術，該技術優化了單元結構。通過降低RDS(ON)、Qg，降低了主要損耗，提高設備的效率并且降低器件溫度。除此之外，新的結構工藝和封裝工藝下的TPH2R408QM擁有175℃超高的額定結溫。

小結

從本期日系廠商的MOSFET產品系列可以看出，在功率半導體領域日系企業仍然表現強勢。各大廠商都有自己的特長，有些在封裝上獨具匠心，有些在結構工藝上領先行業。雖然在市占上略微不及歐美系，但整體實力強勁且后勁十足。

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