擴充產能 羅姆推進SiC產品布局

擴充產能 羅姆推進SiC產品布局

比較優勢

與Si功率器件相比，SiC產品的耐高壓特性使得器件可以使用更薄的半導體層（約1/10），并且由于其漂移區阻值只有Si器件的1/300，所以它的導通損耗非常低。

提升產能

基于這樣的市場潛力，羅姆正在積極擴張該公司產能。去年4月，羅姆在日本福岡縣啟動了12年來首座新廠——ROHM Apollo筑后工廠——的建設，原計劃總建筑面積為1.1萬平方米，后又決定加建到2萬平方米。該廠主要生產6英寸SiC功率器件的襯底、外延片和晶圓加工的預處理工藝。預計新廠房將于2020年12月竣工，2021年開始投入運營，2022年開始大批量生產。新廠投產后，預計到2024財年，羅姆SiC器件全球總產能較2016財年將增長16倍，柵極驅動則較2016財年增長15倍。

上面兩張圖分別是羅姆目前所有的SiC分立和功率模塊產品。羅姆是全球少數完全擁有SiC垂直整合制造工藝的公司，包括從晶棒生產到晶圓再到封裝。據悉，今年該公司將擴充6英寸第三代工藝600V SBD產品，預計年底將推出1200V樣片；在SiC-MOSFET上，今年會推出非車規第四代6英寸工藝產品，明年則將推出車規級產品。

重在車載

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