晶圓制造與生產工藝的區別（晶圓生產車間的特點）

本篇文章給大家談談晶圓制造與生產工藝的區別，以及晶圓生產車間的特點對應的知識點，希望對各位有所幫助，不要忘了收藏本站喔。 今天給各位分享晶圓制造與生產工藝的區別的知識，其中也會對晶圓生產車間的特點進行解釋，如果能碰巧解決你現在面臨的問題，別忘了關注本站，現在開始吧！

本文目錄一覽：

• 1、硅晶圓直徑、集成電路工藝尺寸的區別是什么？
• 2、LED的芯片晶圓與集成電路芯片晶圓有哪些工藝不一樣？
• 3、晶圓制造

硅晶圓直徑、集成電路工藝尺寸的區別是什么？

這是兩種描述晶圓規格及工藝水平的數據，幾寸指的晶圓大小（直徑），幾納米指的晶體管之間的距離，晶圓直徑越大，且晶體管之間的距離越小，那么單片晶圓上集成的晶粒（芯片）數也越多，也就是集成度越高，所以尺寸越做越大，間距（納米）越做越小，技術也越來越復雜。

硅是由石英砂所精練出來的，晶圓便是硅元素加以純化（99.999%）。

擴展資料：

注意事項：

1、由于晶圓生產工藝中，其表面會形成薄膜，這需要光刻技術將它去掉。在晶圓制造過程中，晶體、電容、電阻等在晶圓表面或表層內構成，這些部件是每次在一個掩膜層上生成的，并且結合生成薄膜及去除特定部分，通過光刻工藝過程，最終在晶圓上保留特征圖形的部分。

2、光刻確定了器件的關鍵尺寸，光刻過程中的錯誤可造成圖形歪曲或套準不好，最終可轉化為對器件的電特性產生影響。

3、高純度的多晶硅放在石英坩堝中，并用外面圍繞著的石墨加熱器不斷加熱，溫度維持在大約一千多攝氏度，爐中的空氣通常是惰性氣體，使多晶硅熔化，同時又不會產生不需要的化學反應。

參考資料來源：百度百科-晶圓

參考資料來源：百度百科-晶圓工藝

參考資料來源：百度百科-納米

參考資料來源：百度百科-晶體管

參考資料來源：百度百科-硅

LED的芯片晶圓與集成電路芯片晶圓有哪些工藝不一樣？

晶圓廠和封裝廠是兩個不同的工序。晶圓廠在半導體行業來說稱為前道工序，是指在單晶硅片上加工半導體器件的生產工序（每個硅片上有成千上萬個同樣的集成電路等器件）。而封裝廠是把經過晶圓廠加工成的產品進行包封的工序（給每一個集成電路芯片引出引線穿上衣服），在半導體行業稱為后道工序。晶圓廠的英寸指它能加工的半導體硅材料的尺寸，而不是集成電路的大小。

晶圓制造

晶圓（WAFER）：多指單晶硅圓片，由普通硅沙拉制提煉而成，是最常用的半導體材料。按其直徑分為4英寸、5英寸、6英寸、8英寸、12英寸等規格，近來已經發展出16英寸甚至更大規格。晶圓越大，同一圓片上可生產同規格的IC就多，可有效降低IC成本。
半導體晶圓制造的基本原理，主要是將經過精密設計的電路，藉由光罩逐層（Layer by Layer）的轉移至矽晶圓上，以制造出所需的IC產品。主要的加工步驟包括化學清洗（Chemical clean）、氧化∕薄膜沈積(Oxidation∕Metal deposition)、光罩投影(Photolithography)、蝕刻(Etching)、離子植入（Ion implant）、擴散(Diffuse)、光阻去除、檢驗與量測等[34]，總加工步驟隨著歷年曝光方式的改變及線路線寬的減少而與日遽增。以動態隨機存取記憶體（DRAM）為例，制作過程非常困難且繁復，如將量測與檢驗等步驟納入考量，總制程步驟已超過五百道以上。
晶圓制造的基本流程，是將矽晶圓投入制程中，經過化學清洗、氧化∕薄膜沈積等程序后，會於矽晶圓表面形成一層矽氧化膜，此薄膜經過上光阻液、并配合光罩於黃光區進行曝光、顯影，就可將光罩上的電路圖移轉至矽晶圓上。經過特殊光線照射后的光阻液會產生變化，使得此部份的光阻液可利用化學藥品或腐蝕性氣體去除而露出矽氧化膜，此為蝕刻（Etching）過程。露出的矽氧化膜經離子植入制程，於晶圓表面植入硼、砷和磷等離子，以形成半導體電子元件。接下來以金屬賤鍍的方式，於晶圓表面賤鍍能夠導電的金屬層，以連接電子元件，并以表面絕緣保護，就可完成其中一個層（Layer）的制造。如此一層一層的層疊架構，就可將電路圖完全的移轉至矽晶圓上，完成所制造的IC產品，不同功能的IC產品所需的層數也不相同，視其復雜度而定。以下便針對上述幾個單元制作略述其制造、生產特性以及所使用的設備。

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